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IRFI9530GPBF
1个P沟道 耐压:100V 电流:7.7A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220 FULLPAK消除了商业和工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所用的模塑料在散热片和外部散热器之间提供了高隔离能力和低热阻。这种隔离相当于标准TO-220产品使用100微米云母屏障。FULLPAK使用单个夹子或单个螺丝固定安装到散热器上。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFI9530GPBF
- 商品编号
- C3280627
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.218克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 860pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 93pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子镇流器。
商品特性
- 5.5 A、500 V，VGS = 10 V时RDS(on) = 1.2 Ω
- 低栅极电荷（典型值19 nC）
- 低Crss（典型值15 pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力