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SIHP080N60E-GE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:22A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHP080N60E-GE3
- 商品编号
- C3280669
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.996667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.557nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
RM110N85T2采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- VDS = 85 V，ID = 110 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 6 mΩ
- 出色的栅极电荷x RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度可达175 °C
- 无铅引脚镀层
- 100%经过UIS测试
应用领域
- DC/DC转换器-非常适合高频开关和同步整流