BUK954R4-40B127
N通道MOSFET,电流:75A,耐压:40V
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK954R4-40B127
- 商品编号
- C3280674
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.695克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 254W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.124nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 558pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.131nF |
商品概述
这款数字音频MOSFET半桥专为D类音频放大器应用而设计。它由两个以半桥配置连接的功率MOSFET开关组成。采用最新工艺，以实现每单位硅面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。这些特性相结合，使该半桥成为D类音频放大器应用中高效、耐用且可靠的器件。
商品特性
~~- 集成半桥封装-减少一半的元件数量-便于更好的PCB布局-针对D类音频放大器应用优化关键参数-低导通电阻RDS(ON),提高效率-低栅极电荷Qg和开关电荷Qsw,改善THD并提高效率-低反向恢复电荷Qrr,改善THD并降低EMI-在半桥配置放大器中,每通道可向8Ω负载提供高达300W的功率-无铅封装