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IXFP56N30X3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFP56N30X3

1个N沟道 耐压:300V 电流:56A

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描述
特性:国际标准封装。 低RDS(ON)和QG。 雪崩额定。 低封装电感。 高功率密度。 易于安装。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
IXFP56N30X3
商品编号
C3280641
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.776克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)300V
连续漏极电流(Id)56A
导通电阻(RDS(on))27mΩ@10V
耗散功率(Pd)320W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)56nC@10V
输入电容(Ciss)3.75nF
反向传输电容(Crss)3pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道

商品概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器、开关电源和电机控制。

商品特性

  • 国际标准封装
  • 低导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷QG
  • 雪崩额定
  • 低封装电感
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • DC-DC转换器
  • 功率因数校正(PFC)电路
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人技术和伺服控制

数据手册PDF