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2SJ542-E

P通道MOSFET,电流:18A,耐压:60V

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: 2SJ542-E
商品编号: C3280667
商品封装: TO-220AB
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够承受雪崩模式下的高能量，且二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

60A，55V
仿真模型
温度补偿的PSPICE和SABER模型
可在网上获取SPICE和SABER热阻抗模型

应用领域

Switching regulators
Switching converters
Motor drivers
Relay drivers
Low-voltage bus switches
Power management in portable and battery-operated products

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	18A
	导通电阻(RDS(on))	65mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	60W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2V@1mA
	输入电容(Ciss)	1.3nF
	反向传输电容(Crss)	180pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	650pF