IRF9Z30PBF-BE3
P沟道 MOSFET,电流:18A,耐压:50V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF9Z30PBF-BE3
- 商品编号
- C3280660
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 74W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 570pF |
商品概述
功率MOSFET技术是Vishay先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。功率MOSFET设计采用高效的几何结构和独特的工艺,实现了极低的导通电阻,同时具备高跨导和出色的器件耐用性。
P沟道功率MOSFET专为需要反极性操作便利性的应用而设计。它们保留了更常见的N沟道功率MOSFET的所有特性,如电压控制、快速开关、易于并联以及出色的温度稳定性。
P沟道功率MOSFET适用于与N沟道器件实现互补对称以简化电路的功率级。由于反极性连接提供的电路灵活性,它们在驱动级中也非常有用。应用包括电机控制、音频放大器、开关模式转换器、控制电路和脉冲放大器。
商品特性
-P沟道多功能性-紧凑型塑料封装-快速开关-低驱动电流-易于并联-出色的温度稳定性
应用领域
-电机控制-音频放大器-开关模式转换器-控制电路-脉冲放大器