BUK7905-40AI127
1个N沟道 耐压:40V 电流:75A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK7905-40AI127
- 商品编号
- C3280650
- 商品封装
- TO-220-5
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 272W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 127nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低电压应用，如汽车、DC/DC转换器的高效开关以及直流电机控制。
商品特性
- 低导通电阻,降低传导损耗
- 符合Q101标准
- 集成电流传感器,减少元件数量
- 适用于标准电平栅极驱动源
应用领域
- 电动助力转向系统(EPAS)
- 发动机可变气门正时系统