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IXFP34N65X3
N沟道,电流:34A,耐压:650V
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- 描述
- 特性：国际标准封装。低RDS(ON)和QG。雪崩额定。低封装电感。高功率密度。易于安装。应用：开关模式和谐振模式电源。DC-DC转换器
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFP34N65X3
- 商品编号
- C3280647
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 446W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.025nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.6pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
RM75N60T2采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻。它可用于各种应用。
商品特性
- 漏源电压 = 60V，漏极电流 = 75A
- 栅源电压 = 10V时，漏源导通电阻 < 11.5 mΩ（典型值：9.1 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高雪崩能量，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 特殊工艺技术，具备高ESD能力
应用领域
-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源