FDP5500
N沟道,电流:80A,耐压:55V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP5500
- 商品编号
- C3280633
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 269nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.565nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 395pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.31nF |
商品概述
RM140N150T2采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,典型 rDS(on) = 5.1 m Ω
- 在 VGS = 10 V 条件下,典型 Qg(10) = 114 nC
- 仿真模型
- 温度补偿的PSPICE和SABER模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线
- 通过AEC Q101认证
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流线性模式控制
- 螺线管和电机控制
- 开关稳压器
- 汽车系统