SFS9640
P沟道 MOSFET,电流:6.2A,耐压:200V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SFS9640
- 商品编号
- C3280821
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.585nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形 DMOS 技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效率开关模式电源、功率因数校正以及基于半桥的电子灯镇流器。
商品特性
- 5.5A、500V，漏源导通电阻 RDS(on) = 1.3 Ω，栅源电压 VGS = 10 V 时
- 低栅极电荷（典型值 17 nC）
- 低反向传输电容 Crss（典型值 11 pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的 dv/dt 能力