FCPF11N65
N沟道,电流:11A,耐压:650V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCPF11N65
- 商品编号
- C3280841
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.148nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 89pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 870pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低压应用，如汽车、DC/DC转换器的高效开关以及直流电机控制。
商品特性
- 典型RDS(on) = 320 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 40 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 95 pF)
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 汽车-DC/DC转换器的高效开关-直流电机控制