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FCPF190N65FL1-F154
1个N沟道 耐压:650V 电流:20.6A
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- 描述
- SUPERFET II MOSFET是一款全新的高压超结（SJ）MOSFET产品系列，它采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET II MOSFET非常适合用于各类追求小型化和更高效率的电源系统
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCPF190N65FL1-F154
- 商品编号
- C3280898
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.055nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 680fF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.055nF |
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- RDS(on) = 168 mΩ(典型值)
- 超低栅极电荷(典型值Qg = 60 nC)
- 低有效输出电容(典型值Coss(eff.) = 304 pF)
- 经过100%雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 计算机/显示器电源
- 电信/服务器电源
- 工业电源
- 照明/充电器/适配器