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AOTF409实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AOTF409

1个P沟道 耐压:60V 电流:24A

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描述
AOTF409/L采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低栅极电阻。凭借TO220FL封装出色的热阻性能,该器件非常适合大电流负载应用。AOTF409和AOTF409L在电气性能上完全相同
品牌名称
AOS
商品型号
AOTF409
商品编号
C3280908
商品封装
TO-220FL​
包装方式
管装
商品毛重
2.903克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)24A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@10V;43mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)43W
阈值电压(Vgs(th))2.1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)43nC@10V
输入电容(Ciss)2.461nF
反向传输电容(Crss)120pF
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
类型P沟道
输出电容(Coss)178pF

商品特性

-国际标准封装-低漏源导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (Qg)-雪崩额定值-低封装电感-高功率密度-易于安装-节省空间

应用领域

-开关模式和谐振模式电源-DC-DC 转换器-PFC 电路-交流和直流电机驱动器-机器人技术和伺服控制

数据手册PDF