IRF614BFP001
N沟道 MOSFET,电流:2.8A,耐压:250V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- IRF614BFP001
- 商品编号
- C3280875
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 275pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
SUPERFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SUPERFET II MOSFET易驱动系列有助于解决电磁干扰（EMI）问题，使设计实施更加容易。
商品特性
- 650 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 160 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Qg = 63 nC）
- 低有效输出电容（典型Coss.eff = 178 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 计算机/显示器电源-电信/服务器电源-工业电源-照明/充电器/适配器