FQPF18N50V2SDTU
1个N沟道 耐压:500V 电流:18A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQPF18N50V2SDTU
- 商品编号
- C3280879
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 265mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。该器件集成了TrenchPLUS二极管，用于静电放电（ESD）保护和温度传感。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和认证，适用于汽车关键应用。
商品特性
- 550 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 0.265 Ω @ VGS = 10 V
- 低栅极电荷(典型值42 nC)
- 低Crss(典型值11 pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-高效开关模式电源-有源功率因数校正-基于半桥拓扑的电子灯镇流器