温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FCPF380N60E-F154
N沟道,电流:10.2A,耐压:600V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCPF380N60E-F154
- 商品编号
- C3280885
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.26nF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条状DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效率开关模式电源以及基于半桥的电子灯镇流器。
商品特性
- 1.6A、400V，VGS = 10V时，RDS(on) = 3.4Ω
- 低栅极电荷（典型值6.0nC）
- 低Crss（典型值4.2pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高效率开关模式电源
- 基于半桥的电子灯镇流器