FQPF2N60
N沟道,电流:1.6A,耐压:600V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQPF2N60
- 商品编号
- C3280849
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET专为等离子显示屏（PDP）的维持、能量回收及通路开关应用而设计。该MOSFET采用最新的工艺技术，实现了单位硅面积的低导通电阻和低EPULSE额定值。该MOSFET的其他特性包括150°C的工作结温和高重复峰值电流能力。这些特性相结合，使这款MOSFET成为适用于PDP驱动应用的高效、耐用且可靠的器件。
商品特性
- 1.6A、600V,VGS = 10V时,RDS(on) = 4.7Ω
- 低栅极电荷(典型值9.0nC)
- 低Crss(典型值5.0pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力