FQPF12P20XDTU
P沟道 MOSFET,电流:-7.3A,耐压:-200V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQPF12P20XDTU
- 商品编号
- C3280839
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 470mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
该技术已扩展其产品范围，以满足低电压、极低漏源导通电阻（RDS(on)）MOSFET晶体管的需求。高效的几何结构和独特的工艺相结合，实现了每个器件性能下的最低导通电阻。除了这一特性外，所有产品均具备可靠的文档记录和百万分之一的高品质！ 该晶体管还具备MOSFET所有已被广泛认可的优势，如电压控制、极快的开关速度、易于并联以及电气参数的温度稳定性。 它们非常适合用于开关电源、电机控制、逆变器、斩波器、音频放大器、高能脉冲电路，以及由低压电池供电的系统，如汽车、便携式设备等。
商品特性
- 7.3A,-200V,RDS(on) = 0.47Ω(VGS = -10 V时)
- 低栅极电荷(典型值31 nC)
- 低Crss(典型值30 pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 开关电源
- 电机控制
- 逆变器
- 斩波器
- 音频放大器
- 高能脉冲电路
- 由低压电池供电的系统（如汽车、便携式设备）