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IRFI540GPBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:17A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220 FULLPAK封装在商业-工业应用中无需额外的绝缘硬件。所用的模塑料在散热片和外部散热片之间提供了高隔离能力和低热阻，这种隔离效果相当于标准TO-220产品使用100微米云母屏障。FULLPAK使用单个夹子或单个螺丝固定在散热片上。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFI540GPBF
- 商品编号
- C3280595
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 77mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 560pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
商品特性
- 隔离封装
- 高压隔离 = 2.5 kV RMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
- 散热片到引脚的爬电距离 = 4.8 mm
- 工作温度175 °C
- 动态dV/dt额定值
- 低热阻