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IRFI840GLCPBF
1个N沟道 耐压:500V 电流:4.5A
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- 描述
- 该系列低充电功率MOSFET相较于传统MOSFET，可显著降低栅极电荷。采用先进的功率MOSFET技术，这些器件的改进降低了栅极驱动要求，提高了开关速度，并增加了整个系统的效益。这些器件的改进结合MOSFET所具有的经过验证的耐用性和可靠性，为设计人员提供了用于开关应用的功率晶体管新标准
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFI840GLCPBF
- 商品编号
- C3280604
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品特性
- 国际标准封装
- 具备非箝位电感开关（UIS）额定值
- 封装电感低
- 易于驱动和保护
- 易于安装
- 节省空间
- 功率密度高