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MRF101AN
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 115W |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅片面积上实现尽可能低的导通电阻，从而带来卓越的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，其二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- 镜像引脚版本(A和B),便于在推挽、双管配置中使用
- 在30至50 V电压范围内进行了特性表征
- 适用于线性应用
- 集成静电放电(ESD)保护,具有更大的负栅源电压范围,可改善C类工作状态
- 纳入恩智浦(NXP)产品长期供应计划,产品推出后至少保证供应15年
应用领域
- 工业、科学、医疗(ISM)
- 激光产生
- 等离子体蚀刻
- 粒子加速器
- 磁共振成像(MRI)及其他医疗应用
- 工业加热、焊接和干燥系统
- 无线电和甚高频电视广播
- 高频和甚高频通信
- 开关模式电源