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MW6S010NR1
N沟道 耐压:68V
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- 描述
- 设计用于频率高达1500 MHz的A类或AB类基站应用。适用于模拟和数字调制以及多载波放大器应用。
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- MW6S010NR1
- 商品编号
- C3281755
- 商品封装
- TO-270-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 10W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 23pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.32pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
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