温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDP86363-F085
1个N沟道 耐压:80V 电流:110A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：典型RDS(on) = 2.4mΩ，VGS = 10V，ID = 80A。 典型Qg(tot) = 131nC，VGS = 10V，ID = 80A。 UIS能力。 符合RoHS标准。 符合AEC Q101标准。应用：汽车发动机控制。 动力总成管理
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP86363-F085
- 商品编号
- C3280605
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.974克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.4nF |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单