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IXTP02N120P
1个N沟道 耐压:1200V 电流:0.2A
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- 描述
- 特性：国际标准封装。 低Q。 雪崩额定。 低封装电感。 快速本征整流器。 高功率密度。应用：DC-DC转换器。 开关模式和谐振模式电源
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTP02N120P
- 商品编号
- C3280610
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.122222克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 104pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 15.6 A、250 V，漏源导通电阻RDS(on)最大值为270 mΩ，条件为栅源电压VGS = 10 V，漏极电流ID = 7.8 A
- 低栅极电荷（典型值41 nC）
- 反向传输电容Crss典型值为68 pF
- 经过100%雪崩测试
应用领域
-开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器