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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A；140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.9W；330W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.2nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 低漏源导通电阻RDS(ON)，最大1.05Ω
- 低栅极电荷，典型值为53nC
- 改善了dV/dt性能
- 无铅镀层
- 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU，且符合WEEE指令2002/96/EC
- 根据IEC 61249-2-21定义，无卤
应用领域
- 升压转换器
- 用于消费、电信、工业电源和LED背光的同步整流器