NTP6413ANG
N沟道,电流:42A,耐压:100V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTP6413ANG
- 商品编号
- C3280426
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
RMD0A8P20ES9采用先进的沟槽技术，具备出色的漏源导通电阻和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，还适用于众多其他应用。
商品特性
- 低RDS(ON)
- 高电流承载能力
- 100%雪崩测试
- 适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用的NVB前缀;符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅且符合RoHS标准