NTP6413ANG
N沟道,电流:42A,耐压:100V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTP6413ANG
- 商品编号
- C3280426
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
RMD0A8P20ES9采用先进的沟槽技术，具备出色的漏源导通电阻和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，还适用于众多其他应用。
商品特性
- 漏源电压 (VDS) = -20V，漏极电流 (ID) = -0.8A
- 栅源电压 (VGS) = -4.5V时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) < 800 mΩ
- 栅源电压 (VGS) = -2.5V时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) < 1200 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
- 无卤素
- 产品编号后缀V表示符合AEC-Q101标准，例如：RMD0A8P20ES9V