FDP75N08
75V N沟道 MOSFET,电流:75A,耐压:75V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP75N08
- 商品编号
- C3280533
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 131W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.82nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 890pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与具有类似漏源导通电阻（RDS(on)）规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷，从而使DC/DC电源设计具有更高的整体效率。
商品特性
- 40 A、60 V。在栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 0.020 Ω
- 在栅源电压（VGS） = 6 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 0.023 Ω
- 规定了高温下的关键直流电气参数。
- 坚固的内部源漏二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器。
- 采用高性能趋势技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 最高结温额定值为175 °C。