FDP6676
1个N沟道 耐压:30V 电流:84A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP6676
- 商品编号
- C3280545
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 84A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 93W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.324nF@15V | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低品质因数 (FOM) 导通电阻Ron × 栅极电荷Qg
- 低有效电容 有效电容Co(er)
- 降低开关和传导损耗
- 雪崩能量额定 (UIS)
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-太阳能(光伏逆变器)