FQP7N80
N沟道,电流:6.6A,耐压:800V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP7N80
- 商品编号
- C3280492
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 195pF |
商品特性
- 6.6A、800V,VGS = 10V时,RDS(on) = 1.5Ω
- 低栅极电荷(典型值40nC)
- 低Crss(典型值19pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 计算机-办公设备-通信设备-测试测量设备-视听设备-家用电子电器-机床-个人电子设备-工业机器人-运输设备(汽车、火车、轮船等)-交通控制系统-防灾系统-安防系统-安全设备-非专门用于生命支持的医疗设备