RFP50N06_NL
N沟道,电流:50A,耐压:60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- RFP50N06_NL
- 商品编号
- C3280498
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 131W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 600pF |
商品概述
这款 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench 工艺，具备坚固耐用的栅极。它针对宽范围栅极驱动电压（2.5V - 12V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = -2.5V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 30 mΩ
- -7A、-20V，栅源电压（VGS） = -4.5V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 22 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 开关速度快
- FLMP SuperSOT-6 封装：在行业标准封装尺寸下增强了热性能
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护