FQP16N25C
N沟道,15.6A,250V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP16N25C
- 商品编号
- C3280494
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 139W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 89pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持卓越开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 75 A时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 3.2 mΩ（典型值）
- 开关速度快
- 栅极电荷低
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(on)）
- 具备高功率和大电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-直流到直流转换器/同步整流