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TSM85N10CZ C0G

N沟道,电流:81A,耐压:100V

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM85N10CZ C0G
商品编号: C3280432
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品概述

该器件是一款采用STripFET™ H6技术开发的N沟道功率MOSFET，具有新型沟槽栅极结构。由此制成的功率MOSFET在所有封装中均表现出极低的 RDS(on)。

商品特性

先进沟槽技术
100%雪崩测试

应用领域

开关模式电源(SMPS)同步整流
高速功率开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	81A
	导通电阻(RDS(on))	10mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	320W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	154nC@10V
	输入电容(Ciss)	3.9nF
	反向传输电容(Crss)	170pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	300pF