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2SJ649-AZ

P通道,电流:20A,耐压:60V

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: 2SJ649-AZ
商品编号: C3280462
商品封装: TO-220
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

这些是N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管。它们是先进的功率MOSFET，经过设计、测试并保证在击穿雪崩工作模式下能承受特定水平的能量。所有这些功率MOSFET均适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。

商品特性

2.8A和3.3A，350V和400V
rDS(ON) = 1.8Ω和2.5Ω
单脉冲雪崩能量额定值
安全工作区受功率耗散限制
纳秒级开关速度
线性传输特性
高输入阻抗

应用领域

标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	20A
	导通电阻(RDS(on))	48mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	25W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	38nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.9nF
	反向传输电容(Crss)	140pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道