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IRFIZ24GPBF
N沟道 MOSFET,电流:14A,耐压:60V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFIZ24GPBF
- 商品编号
- C3280468
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 640pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 79pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
商品特性
- 雪崩耐用技术
- 坚固栅极氧化层技术
- 更低的输入电容
- 改善的栅极电荷
- 扩展的安全工作区
- 更低的漏电流：在VDS = 200V时为10μA（最大值）
- 更低的RDS(ON)：1.185Ω（典型值）