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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RFP10P12

1个N沟道 耐压:120V 电流:10A

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品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
RFP10P12
商品编号
C3280445
商品封装
TO-220​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)120V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))500mΩ@10V
耗散功率(Pd)75W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
输入电容(Ciss)1.7nF
反向传输电容(Crss)350pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)600pF

商品概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面DMOS技术制造。 这种先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关式DC/DC转换器、开关电源、不间断电源用DC-AC转换器和电机控制。

商品特性

  • -10A、-120V和-150V
  • rDS(on) = 0.5Ω
  • 安全工作区受功率耗散限制
  • 纳秒级开关速度
  • 线性转移特性
  • 高输入阻抗
  • 多数载流子器件

应用领域

  • 高效开关式DC/DC转换器
  • 开关电源
  • 不间断电源用DC-AC转换器
  • 电机控制

数据手册PDF