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IRF512实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF512

N沟道,电流:4.9A,耐压:100V

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品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
IRF512
商品编号
C3280419
商品封装
TO-220​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)5.6A
导通电阻(RDS(on))740mΩ@10V
耗散功率(Pd)43W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)7.7nC@10V
输入电容(Ciss)135pF
反向传输电容(Crss)20pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)80pF

商品概述

AOT(B)260L采用沟槽MOSFET技术,经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Crss组合,功率损耗降至最低。此外,“肖特基式”软恢复体二极管可良好控制开关特性。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。

商品特性

  • 4.9A和5.6A,80V和100V
  • rDS(ON) = 0.54Ω和0.74Ω
  • 单脉冲雪崩能量额定值
  • 安全工作区受功率耗散限制
  • 纳秒级开关速度
  • 线性传输特性
  • 高输入阻抗

应用领域

  • 升压转换器
  • 用于消费、电信、工业电源和LED背光的同步整流器

数据手册PDF