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STP13N60M2
1个N沟道 耐压:600V 电流:11A
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- 描述
- N沟道600 V、0.35 Ohm典型值、11 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP13N60M2
- 商品编号
- C3280408
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 32pF |
商品概述
这些器件是采用新一代MDmesh™技术（MDmesh II Plus™低Qg）开发的N沟道功率MOSFET。这些具有创新性的功率MOSFET将垂直结构与公司的条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它们适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 与上一代产品相比，RDS(on) x面积更低
- 低栅极输入电阻
- 100%经过雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用