SSP4N90A
N沟道 MOSFET,电流:4A,耐压:900V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SSP4N90A
- 商品编号
- C3280409
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
RM2305B采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关或PWM应用。
商品特性
- 雪崩耐用技术
- 耐用栅极氧化层技术
- 更低的输入电容
- 改善的栅极电荷
- 扩展的安全工作区
- 更低的漏电流:在VDS = 900V时为25 μA(最大值)
- 低RDS(ON):4.181 Ω(典型值)
- B V D S S = 9 0 0 V
- R D S (o n) = 5. 0 Ω
- I D = 4 A
- TO - 220
应用领域
-PWM应用-负载开关