SSP4N90A
N沟道 MOSFET,电流:4A,耐压:900V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SSP4N90A
- 商品编号
- C3280409
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
RM2305B采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关或PWM应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20V，漏极电流（ID） = -4.1A
- 栅源电压（VGS） = -1.8V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 95 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -2.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 75 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 52 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
应用领域
-PWM应用-负载开关