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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 311pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 43pF |
商品概述
全新的MDmesh™ M6技术融合了最新的技术进步，应用于知名且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列产品。意法半导体（STMicroelectronics）通过其全新的M6技术，在MDmesh前代产品的基础上进行升级，该技术不仅显著改善了单位面积的导通电阻RDS(on)，还具备出色的开关性能，同时为用户带来便捷体验，以实现终端应用的最高效率。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与前代产品相比，单位面积的导通电阻RDS(on)更低
- 栅极输入电阻低
- 100%经过雪崩测试
- 齐纳二极管保护
应用领域
- 开关应用