AOT66916L
1个N沟道 耐压:100V 电流:120A 电流:35.5A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOT66916L
- 商品编号
- C3280405
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35.5A；120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 277W；8.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.18nF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET属于MDmesh DM6快速恢复二极管系列。与上一代MDmesh快速恢复系列相比，DM6结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），以及单位面积导通电阻（RDS(on)）的显著改善，具备市场上最有效的开关性能之一，适用于对效率要求极高的桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比，单位面积导通电阻（RDS(on)）更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻低
- 经过100%雪崩测试
- 具备极高的dv/dt耐受能力
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用