RFP25N06L
N沟道,电流:25A,耐压:60V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- RFP25N06L
- 商品编号
- C3280398
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1mA | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 400pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 雪崩坚固技术
- 坚固栅极氧化层技术
- 更低的输入电容
- 改善的栅极电荷
- 扩展的安全工作区
- 更低的漏电流：在VDS = 800V时为25 μA（最大值）
- 低RDS(ON)：3.800 Ω（典型值）
- BVDSS = 800 V
- RDS(on) = 4.8 Ω
- ID = 3 A
- TO - 220