IRFBC40R
1个N沟道 耐压:600V 电流:6.2A
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- IRFBC40R
- 商品编号
- C3280387
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
RFP15N08L 是一款 n 沟道增强型硅栅功率场效应晶体管，专为在可编程控制器、汽车开关和螺线管驱动器等应用中与逻辑电平（5 伏）驱动源配合使用而设计。这种性能通过特殊的栅极氧化物设计实现，该设计可在 3 - 5 伏的栅极偏置下实现全额定导通，从而便于利用逻辑电路电源电压实现真正的开关功率控制。
商品特性
- 15A，80V
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.14Ω
- 针对 5 伏栅极驱动进行优化设计
- 可直接由 Q-MOS、N-MOS、TTL 电路驱动
- 安全工作区受功率耗散限制
- 额定结温为 +175°C
- 逻辑电平栅极
- 高输入阻抗