STP7N90K5
N沟道,电流:7A,耐压:900V
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- 描述
- N沟道900 V、0.72 Ohm典型值、7 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP7N90K5
- 商品编号
- C3280393
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 810mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 425pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
商品概述
RFA100N05E n沟道静电放电额定功率MOSFET采用MegaFET工艺制造。该工艺的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），能实现硅的最佳利用，从而具有出色的性能。它们适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及双极晶体管发射极开关等应用。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 业界最低的 RDS(on)×面积
- 业界最佳的品质因数(FoM)
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用