IRFF213
1个N沟道 耐压:150V 电流:1.8A
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- IRFF213
- 商品编号
- C3280369
- 商品封装
- TO-205AF(TO-39)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 135pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品特性
- 1.8A和2.2A,150V至200V
- rDS(ON) = 1.5Ω和2.4Ω
- 单脉冲雪崩能量额定值
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
应用领域
-开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器