SSP1N50B
N沟道,电流:1.5A,耐压:520V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SSP1N50B
- 商品编号
- C3280379
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 520V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 33pF |
商品概述
这款STripFET™ DeepGATE™功率MOSFET技术是最新的改进成果之一，它经过特别设计，采用新型栅极结构，能最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能。
商品特性
- 1.5A、520V,VGS = 10V时,RDS(on) = 5.3Ω
- 低栅极电荷(典型值8.3nC)
- 低Crss(典型值5.5pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高效开关模式电源
- 功率因数校正
- 基于半桥的电子镇流器