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2N6786

400V, N-通道, 1.25A

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品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
2N6786
商品编号
C3280371
商品封装
TO-205AF(TO-39)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)1.25A
导通电阻(RDS(on))3.6Ω@10V
耗散功率(Pd)15W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.15V
栅极电荷量(Qg)8.4nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

RFL1N12L和RFL1N15L是N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管,专为在可编程控制器、汽车开关和螺线管驱动器等应用中与逻辑电平(5V)驱动源配合使用而设计。这种性能通过特殊的栅极氧化物设计实现,该设计可在3V - 5V范围内的栅极偏置下实现全额定导通,从而便于直接从逻辑电路电源电压进行真正的开关功率控制。 RFL系列产品采用JEDEC TO - 205AF金属封装。

商品特性

-重复雪崩额定值-动态dv/dt额定值-密封封装-驱动要求简单-易于并联

应用领域

-开关电源-电机控制-逆变器-斩波器-音频放大器-高能脉冲电路

数据手册PDF