IRFF322
1个N沟道 耐压:400V 电流:2A
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- IRFF322
- 商品编号
- C3280365
- 商品封装
- TO-205AF(TO-39)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CPC3720是一款N沟道耗尽型场效应晶体管（FET），采用专有的第三代垂直DMOS工艺。第三代工艺在经济的硅栅工艺中实现了高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺造就了一款坚固的器件，具有高输入阻抗，适用于高功率应用。CPC3720是一款高度可靠的FET器件，已广泛应用于工业和电信领域的固态继电器中。 该器件在要求低漏源电阻的功率应用中表现出色，特别是在汽车点火模块等寒冷环境中。 CPC3720在25°C时的最大导通电阻低至22Ω。 CPC3720的最小击穿电压为350 Vp，采用SOT - 89封装。 与所有MOS器件一样，FET结构可防止热失控和热致二次击穿。
商品特性
- 2.0A和2.5A,350V至400V
- rDS(ON) = 1.8Ω和2.5Ω
- 单脉冲雪崩能量额定值
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
应用领域
- 点火模块-常开开关-固态继电器-转换器-电信-电源