2N6895
P沟道增强型MOSFET,电流:1.16A,耐压:100V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- 2N6895
- 商品编号
- C3280363
- 商品封装
- TO-205AF(TO-39)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.65Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
XF1001-SC是一款高线性度异质结场效应晶体管（HFET），采用行业标准的SOT-89封装。当器件在漏极电压为8V、漏极电流为300mA的偏置条件下工作时，可实现最佳性能。在此偏置点下，该器件的P1dB大于30 dBm，OIP3大于46 dBm。 XF1001-SC适用于高达6 GHz的应用场景，在该频率下增益为10 dB。
商品特性
- 增益：
- 在1.9 GHz时为15.5 dB
- 在5.8 GHz时为10.0 dB
- 输出IP3：46.5 dBm
- P1dB：30.0 dBm
- SOT-89表面贴装技术封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- 无线联网与通信