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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFF9122

P沟道,电流:-3.5A,耐压:-100V

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品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
IRFF9122
商品编号
C3280354
商品封装
TO-205AF(TO-39)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)3.5A
导通电阻(RDS(on))800mΩ@10V
耗散功率(Pd)20W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
输入电容(Ciss)300pF
反向传输电容(Crss)50pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品概述

这些是N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管。它们是先进的功率MOSFET,经过设计、测试,并保证在击穿雪崩工作模式下能承受特定水平的能量。所有这些功率MOSFET适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器,以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。

商品特性

  • -3.5A和-4A、-80V和-100V
  • rDS(ON) = 0.60Ω和0.80Ω
  • 单脉冲雪崩能量额定值
  • 安全工作区受功率耗散限制
  • 纳秒级开关速度
  • 线性传输特性
  • 高输入阻抗

数据手册PDF