IRF433
N沟道,电流:4.0A,耐压:500V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- IRF433
- 商品编号
- C3280351
- 商品封装
- TO-204AE(TO-3)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 450V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
XP161A1265PR是一款N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和超高速开关特性。由于能够实现高速开关，因此可高效设置IC，从而节约能源。内置栅极保护二极管，可防止静电损坏。小型SOT - 89封装可实现高密度安装。
商品特性
- 4.0A和4.5A,450V和500V
- rDS(ON) = 1.5Ω和2.0Ω
- 单脉冲雪崩能量额定值,安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性,高输入阻抗
应用领域
- 笔记本电脑-手机和便携式电话-车载电源-锂离子电池系统